IBM Research Alliance mengumumkan keberhasilan mereka membuat chip pertama dengan proses produksi 5nm GAAFET

Hampir setiap tahun, perlombaan para produsen chip untuk membuat chip yang lebih kecil, lebih efisien, dan lebih padat transistor sepertinya selalu bergulir. IBM Research Alliance, yang selain IBM juga beranggotakan Samsung dan Global Foundries, mengumumkan bahwa mereka sudah berhasil dalam ujicoba produksi chip pertama dengan proses produksi 5nm GAAFET (Gate-All-Around FET). Proses produksi ini dinyatakan memiliki 40% performa lebih tinggi atau 75% penggunaan daya listrik lebih rendah jika dibandingkan dengan chip serupa yang diproduksi dengan metode 10nm FinFET Samsung saat ini. IBM lebih lanjut mengatakan bahwa sebuah chip yang diproduksi dengan metode 5nm miliknya dapat memiliki sekitar 30 miliar transistor di dalamnya.

Sudah tentu, pengumuman keberhasilan ini bukan berarti bahwa dalam waktu dekat semua chip akan menggunakan proses produksi 5nm, karena masih perlu banyak waktu untuk mempersiapkan segala infrastruktur dan fasilitas untuk memproduksinya secara massal. Proses produksi 5nm GAAFET diperkirakan akan mulai digunakan pada tahun 2021, sementara tahun 2018 yang akan datang, sebagian besar chip akan diproduksi masih dengan proses 10nm yang disempurnakan dan juga proses 7nm yang baru.

Detail lebih lanjut dari keberhasilan IBM Research Alliance ini akan dipaparkan pada event 2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits di Tokyo, Jepang, dalam minggu ini.

(sumber: Tom’s Hardware)

Iklan

Tinggalkan Balasan

Isikan data di bawah atau klik salah satu ikon untuk log in:

Logo WordPress.com

You are commenting using your WordPress.com account. Logout /  Ubah )

Foto Google+

You are commenting using your Google+ account. Logout /  Ubah )

Gambar Twitter

You are commenting using your Twitter account. Logout /  Ubah )

Foto Facebook

You are commenting using your Facebook account. Logout /  Ubah )

Connecting to %s